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透明導電薄膜的制造方法、以及使用而成的電子裝置方法及圖紙

日期:2025-09-18 17:19
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摘要:透明導電薄膜的制造方法、以及使用而成的電子裝置方法及圖紙

透明導電薄膜的制造方法、以及使用而成的電子裝置方法及圖紙

本發明磚利技術提供一種具有優異濕熱特性的透明導電薄膜、透明導電薄膜的制造方法以及使用這樣的透明導電薄膜而成的電子裝置。其特征在于,是在樹脂基材的至少一面上具備氣體阻隔層以及通過濺射法而形成的氧化鋅膜的透明導電薄膜等,氧化鋅膜是包含氧化鋅,同時摻雜鎵及銦而成的氧化鋅膜,并且,相對于通過XPS的元素分析測定的鋅量、鎵量、氧量及銦量的總量(100atom%),將銦量定為0.01~25atom%范圍內的值,并將鎵量定為0.1~10atom%范圍內的值,在將初始比電阻設為ρ0,將在60℃、相對濕度95%的條件下保管500小時后的比電阻設為ρ500時,將ρ500/ρ0所表示的比率定為1.5以下的值,進一步地,將氧化鋅膜的膜厚定為20~300nm范圍內的值。

【技術實現步驟摘要】
【國外來華磚利技術】
本磚利技術涉及透明導電薄膜、透明導電薄膜的制造方法、以及使用透明導電薄膜而成的電子裝置,尤其涉及具有優異氣體阻隔性及濕熱特性的透明導電薄膜、這樣的透明導電薄膜的制造方法、以及使用這樣的透明導電薄膜而成的電子裝置。
技術介紹
以往,在具備液晶裝置、有機電致發光裝置(有機EL元件)的畫像顯示設備中,將錫摻雜氧化銦作為透明導電層的形成材料而使用的透明導電薄膜被廣泛使用。另一方面,作為使用大量包含高價稀有金屬銦的錫摻雜氧化銦的透明導電層的替代,已提案有使用透明性、表面平滑性優異的氧化鋅的透明導電薄膜。更具體而言,提案有在有機高分子薄膜基材上形成Al2O3薄膜,并在其上形成摻雜Ga的ZnO即GZO薄膜的透明導電薄膜(例如參照磚利文獻1)。另外,提案有將氧化鋅作為主成分,通過濃度易調控的摻雜劑,將電阻率的降低作為目的的低電阻率透明導電體。即,提案有由氧化鋅、氧化銦及氧化鎵所構成的透明導電體,其為將銦及鎵的元素濃度分別定為規定范圍內的值的低電阻率透明導電體(例如磚利文獻2)。另一方面,提案有以即使為極薄膜水平也可得到優異耐濕熱特性作為目的,摻雜特定元素的透明導電性氧化鋅膜。即,提案有一種透明導電性氧化鋅膜,其對氧化鋅,添加由Ga和/或Al所構成的**元素、以及由選自由In、Bi、Se、Ce、Cu、Er及Eu所構成的群中的至少一個所構成的**元素,其在規定的濕熱試驗...

【技術保護點】
一種透明導電薄膜,其特征在于,是在樹脂基材的至少一面上具備氣體阻隔層及通過濺射法而形成的氧化鋅膜的透明導電薄膜,氧化鋅膜是包含氧化鋅,同時摻雜鎵及銦而成的氧化鋅膜,并且,相對于通過XPS的元素分析測定的鋅量、鎵量、氧量及銦量的總量(100atom%),將銦量定為0.01~25atom%范圍內的值,將鎵量定為0.1~10atom%范圍內的值,在將初始比電阻設為ρ0,將在60℃、相對濕度95%的條件下保管500小時后的比電阻設為ρ500時,將ρ500/ρ0所表示的比率定為1.5以下的值,進一步地,將氧化鋅膜的膜厚定為20~300nm范圍內的值。

【技術特征摘要】
【國外來華磚利技術】2014.02.07 JP 2014-0219821.一種透明導電薄膜,其特征在于,是在樹脂基材的至少一面
上具備氣體阻隔層及通過濺射法而形成的氧化鋅膜的透明導電薄膜,
氧化鋅膜是包含氧化鋅,同時摻雜鎵及銦而成的氧化鋅膜,
并且,相對于通過XPS的元素分析測定的鋅量、鎵量、氧量及
銦量的總量(100atom%),將銦量定為0.01~25atom%范圍內的值,
將鎵量定為0.1~10atom%范圍內的值,在將初始比電阻設為ρ0,將在
60℃、相對濕度95%的條件下保管500小時后的比電阻設為ρ500時,
將ρ500/ρ0所表示的比率定為1.5以下的值,
進一步地,將氧化鋅膜的膜厚定為20~300nm范圍內的值。
2.根據權利要求1所述的透明導電薄膜,其特征在于,在將在
所述氧化鋅膜的初始比電阻設為ρ0,將在60℃、相對濕度95%的條
件下保管1000小時后的比電阻定設為ρ1000時,將ρ1000/ρ0所表示的比
率定為2.0以下的值。
3.根據權利要求1或2所述的透明導電薄膜,其特征在于,所
述樹脂基材是選自由聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、
聚碳酸酯、環烯烴類共聚物、環烯烴類聚合物、聚醚砜、及聚酰亞胺
所構成的群中的至少一種。
4.根據權利要求1至3中任意一項所述的透明導電薄膜,其特
征在于,所述氣體阻隔層是選自由金屬、無機氧化物、無機氮化物、
無機氧氮化物、無機碳化物、無機硫化物、無機氧氮化碳化物...

【磚利技術屬性】
技術研發人員:原務,永繩智史,永元公市,

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